GA1206Y223MBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提升整體性能。其封裝形式通常為表面貼裝類�,適合自動化生產(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�95A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷(典型值)�47nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:TO-247
GA1206Y223MBABT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少功率損耗�
2. 高額定電流能�,適用于大功率應(yīng)用場��
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻操��
4. 出色的熱�(wěn)定性,確保在極端條件下可靠�(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
6. 緊湊型設(shè)�(jì),有助于減小整體電路板尺��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源和適配器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變��
3. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備的功率控制模塊�
5. 新能源汽車及充電樁相�(guān)的電力電子系�(tǒng)�
6. 其他需要高效功率管理的場景�
IRFP2907,
STP100NF10,
FDP55N10,
IXTH100N10T2