HUF75329D3ST是一款高性能的功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件適用于各種開關電�、電機驅(qū)動、DC-DC場景。其設計主要針對高效率和低功耗的需�,能夠顯著降低導通損耗和開關損耗�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�110nC
總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�45°C/W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
HUF75329D3ST具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠顯著減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高�40A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率應用需��
3. 快速開關性能,柵極電荷較低,有助于減少開關損��
4. 寬工作溫度范�,從-55°C�+175°C,確保在極端�(huán)境下的可靠運��
5. 采用TO-263封裝,提供良好的散熱性能和易于安裝的�(jié)��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛設計�
HUF75329D3ST廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
2. 電機�(qū)動電�,用于控制直流無刷電機或步進電��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電�、工�(yè)設備和通信電源�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于保護電池組免受過充或過放影��
5. 各種需要高效率功率切換的應用場景,如太陽能逆變�、LED�(qū)動等�
IRF7832, FDP16N06L, AO3400A