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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > HUF75329D3ST

HUF75329D3ST 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 8:47:41 查看 閱讀�17

HUF75329D3ST是一款高性能的功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件適用于各種開關電�、電機驅(qū)動、DC-DC場景。其設計主要針對高效率和低功耗的需�,能夠顯著降低導通損耗和開關損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  導通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�110nC
  總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�45°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

HUF75329D3ST具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠顯著減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,支持高�40A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率應用需��
  3. 快速開關性能,柵極電荷較低,有助于減少開關損��
  4. 寬工作溫度范�,從-55°C�+175°C,確保在極端�(huán)境下的可靠運��
  5. 采用TO-263封裝,提供良好的散熱性能和易于安裝的�(jié)��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛設計�

應用

HUF75329D3ST廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
  2. 電機�(qū)動電�,用于控制直流無刷電機或步進電��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電�、工�(yè)設備和通信電源�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�,用于保護電池組免受過充或過放影��
  5. 各種需要高效率功率切換的應用場景,如太陽能逆變�、LED�(qū)動等�

替代型號

IRF7832, FDP16N06L, AO3400A

huf75329d3st推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 詢價

huf75329d3st資料 更多>

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huf75329d3st參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UltraFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs65nC @ 20V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1060pF @ 25V
  • 功率 - 最�128W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�TO-252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱HUF75329D3ST-NDHUF75329D3STFSTR