HUF75329D3S是一款高效能的N溝道增強型MOSFET功率晶體�,采用TO-263-3封裝形式。該器件專為高電流和高電壓應用而設�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合用于直�-直流�(zhuǎn)換器、開關電�、電機驅(qū)動以及負載開關等應用領域�
其出色的熱性能和電氣特性使其在各種工業(yè)及消費類電子�(chǎn)品中得到廣泛應用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�32A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�11nC
總電容:180pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-263-3
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,確保在大電流應用中的穩(wěn)定��
3. 快速開關速度,降低開關損�,非常適合高頻開關應用�
4. 高耐壓能力,可承受高達60V的漏源電�,提高了器件的安全裕度�
5. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,支持在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)運行�
6. 小型化封裝設�,便于PCB布局和散熱管理�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流��
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器的核心功率級元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控��
4. 各種負載開關和保護電路�
5. 汽車電子中的電源管理和驅(qū)動電��
6. 工業(yè)自動化設備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
HUF75329D3L, IRFZ44N, FDP16N60