GA0603Y561KBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的電子設(shè)備中。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類應(yīng)��
這款器件屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,通過�(yōu)化柵極電荷和�(dǎo)通電阻之間的�(quán)�,顯著提升了效率和系�(tǒng)性能�
型號(hào):GA0603Y561KBCAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
總電容(Ciss):2240pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA0603Y561KBCAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),實(shí)�(xiàn)了快速開�(guān)速度,從而減少了開關(guān)損耗�
3. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)用�
4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
5. 寬泛的工作溫度范圍,使其能夠在極端環(huán)境條件下正常�(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
這些特性使� GA0603Y561KBCAR31G 成為高效率功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制的理想選��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 電動(dòng)車控制器
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
7. 其他需要高功率密度和高效率的場(chǎng)�
由于其卓越的性能,GA0603Y561KBCAR31G 在許多高性能功率管理�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
IRFP2907ZPBF, FDP5500NL, IXFN100N06L4