HMC646LP2ETR 是一款由 Analog Devices(亞德諾半導(dǎo)體)推出� GaAs pHEMT MMIC 低噪聲放大器 (LNA),采� SMT 封裝,適合在高頻�(yīng)用中使用。該芯片具有卓越的增益和低噪聲系�(shù)特性,主要針對無線通信、測試設(shè)備以及射頻信號處理等�(yīng)用設(shè)�(jì)�
其工作頻率范圍寬�,能夠覆蓋從 18 � 40 GHz 的范圍,同時(shí)具備高線性度與良好的匹配性能。這些特點(diǎn)使得 HMC646LP2ETR 成為高性能射頻系統(tǒng)中的理想選擇�
型號:HMC646LP2ETR
封裝:RoHS 合規(guī) LP2x2E 封裝
工作頻率范圍�18 GHz � 40 GHz
增益�13 dB 典型�
噪聲系數(shù)�2.1 dB 典型�
P1dB 壓縮�(diǎn)�+15 dBm 典型�
輸入回波損耗:12 dB 典型�
輸出回波損耗:14 dB 典型�
電源電壓�+4.5 VDC
靜態(tài)電流�75 mA
HMC646LP2ETR 在設(shè)�(jì)上采用了先�(jìn)� GaAs pHEMT 工藝技�(shù),確保了其在高頻段表�(xiàn)出色。以下是其主要特性:
1. 極寬的工作頻率范圍(18-40 GHz�,適用于多種寬帶�(yīng)用�
2. 高增�,典型值為 13 dB,可顯著提高接收信號的質(zhì)��
3. 低噪聲系�(shù),典型值為 2.1 dB,有助于保持系統(tǒng)的靈敏度�
4. �(yōu)異的線性度,P1dB 壓縮�(diǎn)高達(dá) +15 dBm,適合于�(qiáng)信號�(huán)��
5. 輸入和輸出端口均�(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),簡化了外部電路�(shè)�(jì),并改善了回波損耗表�(xiàn)�
6. 單電源供�,操作簡便,功耗較�,靜�(tài)電流僅為 75 mA�
7. RoHS 合規(guī)的表面貼裝封裝形�,易于大�(guī)模生�(chǎn)與集成�
8. 耐受功率較高,可承受最� +28 dBm 的輸入功率而不損壞�
HMC646LP2ETR 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(diǎn)對點(diǎn)無線電通信系統(tǒng),如微波鏈路、衛(wèi)星通信��
2. 測試與測量儀�,例如頻譜分析儀、矢量網(wǎng)�(luò)分析儀��
3. 軍用及商用雷�(dá)系統(tǒng),提供高靈敏度的前端放大功能�
4. 寬帶接收�(jī)和變頻器,用于增�(qiáng)弱信號的檢測能力�
5. 光纖通信中的射頻模塊,實(shí)�(xiàn)高質(zhì)量的�(shù)�(jù)傳輸�
6. �(yī)療成像設(shè)備及其他需要高性能射頻信號處理的場��
HMC647LP4ETR, HMC791LP4E