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AONR26309A 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 7:07:33 查看 閱讀:10

AONR26309A是一款由Alpha and Omega Semiconductor(萬代半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制程技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適合用于各種高效能電源管理應(yīng)用,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。
  這款MOSFET的設(shè)計(jì)目標(biāo)是為用戶提供高效率和高可靠性的解決方案,同時(shí)具備出色的熱性能和電氣性能。

參數(shù)

型號:AONR26309A
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):1.8mΩ
  Id(持續(xù)漏電流):95A
  Vgs(th)(柵極閾值電壓):1.8V
  封裝形式:TO-263-7L
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

AONR26309A的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為1.8mΩ。這種低導(dǎo)通電阻使得器件能夠在大電流應(yīng)用中保持較低的功耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。
  此外,AONR26309A還具備較高的電流處理能力,最大持續(xù)漏電流可達(dá)95A,這使其能夠勝任要求苛刻的大功率場景。
  它的快速開關(guān)特性和低輸入電容有助于減少開關(guān)損耗,并改善動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能。同時(shí),由于采用了TO-263-7L封裝,該器件具有良好的散熱性能,可以有效降低結(jié)溫并延長使用壽命。
  AONR26309A適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備,包括但不限于服務(wù)器電源、通信電源、電動(dòng)工具、以及汽車電子等領(lǐng)域。

應(yīng)用

AONR26309A廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  - DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流
  - 開關(guān)電源中的功率級
  - 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路
  - 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制
  - 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級
  - 汽車電子系統(tǒng)的啟停控制和逆變器
  這些應(yīng)用場景均受益于其高效率、大電流承載能力和緊湊的封裝尺寸。

替代型號

AONR26308A, AONR26310A

aonr26309a推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

aonr26309a參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格5,000 : ¥1.64352卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 配置N 和 P 溝道,共漏(互補(bǔ))
  • FET 功能標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss)30V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6.5A(Ta),14A(Tc),5.7A(Ta),21A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)20mOhm @ 6.5A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA,2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)20nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)600pF @ 15V,1100pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1.5W(Ta),7W(Tc),1.5W(Ta),20.8W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝8-DFN-EP(3x3)