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HMC470LP3E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 2:19:27 查看 閱讀�12

HMC470LP3E是一款由Analog Devices公司(前身為Hittite Microwave Corporation)生�(chǎn)的高性能GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)。該器件采用3x3 mm QFN封裝,設(shè)�(jì)用于微波�(yīng)�,如�(diǎn)�(duì)�(diǎn)無線�、衛(wèi)星通信和測(cè)試測(cè)量設(shè)�。其卓越的增益性能和低噪聲系數(shù)使其成為高頻信號(hào)鏈路中的理想選擇�
  此放大器的工作頻率范圍為6�18 GHz,能夠支持多種寬頻帶�(yīng)用需�。由于其高線性度和低功耗特性,HMC470LP3E在需要高�(dòng)�(tài)范圍的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

頻率范圍�6 GHz � 18 GHz
  增益�15.5 dB(典型值)
  噪聲系數(shù)�1.9 dB(典型值)
  輸入回波損耗:15 dB(典型值)
  輸出回波損耗:12 dB(典型值)
  輸出IP3�+36 dBm(典型值)
  電源電壓�+5 V
  工作電流�65 mA(典型值)
  封裝形式�3x3 mm LP3 Leadless Ceramic SMD

特�

HMC470LP3E具有以下顯著特性:
  1. 寬帶操作能力,覆�6�18 GHz的頻率范�,適用于多種射頻和微波應(yīng)��
  2. 高增益,典型值為15.5 dB,有助于提升系統(tǒng)靈敏��
  3. 低噪聲系�(shù),典型值為1.9 dB,確保接收機(jī)鏈路中的�(yōu)異信噪比表現(xiàn)�
  4. �(yōu)秀的線性度,輸出三階截獲點(diǎn)(OIP3)高�(dá)+36 dBm,適合高�(dòng)�(tài)范圍�(chǎng)��
  5. 小型化設(shè)�(jì),采用緊湊的3x3 mm封裝,便于集成到空間受限的電路板上�
  6. 單電源供電(+5 V�,簡(jiǎn)化了電源管理方案�
  7. 良好的輸入和輸出匹配,分別達(dá)�15 dB�12 dB的回波損�,減少反射損��
  8. 在整�(gè)溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),適�(yīng)各種�(huán)境條件下的使��

�(yīng)�

HMC470LP3E適用于廣泛的射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)和點(diǎn)�(duì)多點(diǎn)無線電通信系統(tǒng)�
  2. �(wèi)星地面站接收�(shè)��
  3. 軍用和商用雷�(dá)系統(tǒng)�
  4. �(cè)試與�(cè)�?jī)x�,例如頻譜分析儀和網(wǎng)�(luò)分析儀�
  5. 微波鏈路和回傳網(wǎng)�(luò)�
  6. 無線基礎(chǔ)�(shè)施,如蜂窩基站和中繼��
  7. 其他需要高增益、低噪聲和寬帶操作的射頻�(yīng)用�

替代型號(hào)

HMC471LP3E, HMC-C029

hmc470lp3e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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hmc470lp3e參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別RF/IF � RFID
  • 家庭衰減�
  • 系列-
  • 衰減�1dB ~ 31dB
  • 容差-
  • 頻率范圍0 ~ 3GHz
  • 功率(瓦特)-
  • 阻抗50 歐姆
  • 封裝/外殼16-VQFN 裸露焊盤
  • 其它名稱1127-1046-6