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IXFR150N15 發(fā)布時間 時間�2024/9/24 11:26:45 查看 閱讀�532

參數(shù)

類別:分離式半導體產�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:HiPerFET?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點:標準型
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�12.5毫歐 75A,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�150V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�105A
  Id時的Vgs(th)(最大)�4V 8mA
  閘電�(Qg) Vgs�360nC 10V
  在Vds時的輸入電容(Ciss)�9100pF 25V
  功率-最大:400W

封裝參數(shù)

安裝類型:通孔
  封裝/外殼:ISOPLUS247?
  包裝:管�

ixfr150n15推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixfr150n15參數(shù)

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C105A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫歐 @ 75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 8mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs360nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9100pF @ 25V
  • 功率 - 最�400W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應商設備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件