HMC311LP3E 是一款由 Analog Devices(亞德諾半導(dǎo)體)生產(chǎn)的低噪聲放大� (LNA),廣泛用于射頻和微波通信系統(tǒng)。該芯片采用GaAs pHEMT技�(shù),具有高增益、低噪聲系數(shù)和寬工作帶寬的特�(diǎn),適用于�(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)線電、VSAT和其他無(wú)線通信�(yīng)用�
這款放大器在200 MHz�6 GHz的頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出色,并且設(shè)�(jì)為單電源供電,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并提高了效率�
型號(hào):HMC311LP3E
制造商:Analog Devices
�(chǎn)品類型:低噪聲放大器 (LNA)
工作頻率范圍�200 MHz � 6 GHz
增益�17.5 dB(典型值)
噪聲系數(shù)�1.4 dB(典型值)
輸入回波損耗:15 dB(典型值)
輸出回波損耗:13 dB(典型值)
最大輸入功率:+15 dBm
電源電壓�+5 V
靜態(tài)電流�85 mA
封裝類型�3x3 mm LFCSP
HMC311LP3E 具有以下主要特性:
1. 高性能:在寬廣的頻率范圍內(nèi)提供�(wěn)定的增益和低噪聲系數(shù),確保信�(hào)�(zhì)��
2. �(jiǎn)化的電源�(shè)�(jì):支持單一+5V電源供電,降低了�(fù)雜性�
3. 寬帶操作:覆蓋從200 MHz�6 GHz的頻率范�,適合多種應(yīng)��
4. 小型化設(shè)�(jì):采�3x3 mm LFCSP封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 高可靠性:基于GaAs pHEMT工藝制�,具備出色的耐用性和�(wěn)定��
6. 易于集成:內(nèi)部匹配至50歐姆,減少了外部元件的需��
HMC311LP3E 的這些特性使其成為需要高性能和小尺寸解決方案的理想選��
HMC311LP3E 可應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)線電通信系統(tǒng)
2. �(wèi)星通信終端 (VSAT)
3. �(cè)試與�(cè)量設(shè)�
4. 軍用和商用無(wú)線基�(chǔ)�(shè)�
5. 微波鏈路和分布式天線系統(tǒng) (DAS)
6. 蜂窩�(wǎng)�(luò)基站前端模塊
由于其卓越的性能和靈活�,HMC311LP3E 在現(xiàn)代射頻和微波通信中扮演著重要角色�
HMC312LP3E, HMC461LP3E, HMC930LP3E