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HMC199MS8ETR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 1:58:19 查看 閱讀�7

HMC199MS8ETR 是一款由 Analog Devices(ADI)公司生�(chǎn)的寬�、高線性度 MMIC(單片微波集成電路)混頻�,采� GaAs E-pHEMT 工藝制�。該器件集成� LO 緩沖放大器、RF 放大器和 IF 放大�,適用于無線基礎(chǔ)�(shè)施、點(diǎn)對點(diǎn)無線電以及測試設(shè)備等�(yīng)�。HMC199MS8ETR 提供出色的射頻性能,并支持� DC � 6 GHz 的寬頻率范圍�
  此混頻器具有單端輸入/輸出�(shè)�(jì),簡化了系統(tǒng)集成,同�(shí)其高�(dòng)�(tài)范圍和低噪聲系數(shù)特性使其非常適合需要高性能的接收機(jī)和發(fā)射機(jī)�(yīng)��

參數(shù)

類型:混頻器
  工藝:GaAs E-pHEMT
  頻率范圍:DC � 6 GHz
  LO 功率�+2 dBm 典型�
  �(zhuǎn)換增益:7.5 dB(典型值)
  隔離度:40 dB(典型�,LO � RF�
  噪聲系數(shù)�8.5 dB(典型值)
  輸入 IP3�+34 dBm(典型值)
  工作電壓�+5 V
  工作電流:約 100 mA

特�

HMC199MS8ETR 提供卓越的射頻性能,包括高線性度、低噪聲和較寬的工作頻率范圍。它還內(nèi)置了多�(gè)放大器級(jí),從而減少了對外部元件的需�,�(jìn)一步簡化了�(shè)�(jì)過程�
  其單端設(shè)�(jì)降低了與差分信號(hào)處理相關(guān)的復(fù)雜�,同�(shí)提供了更高的靈活性和兼容�。此�,這款芯片通過�(yōu)化功耗和性能之間的平衡,適合多種�(yīng)用環(huán)�,例如通信基站、雷�(dá)系統(tǒng)或高端測試設(shè)��
  在封裝方�,HMC199MS8ETR 使用 MS8E 封裝形式,這種封裝緊湊且易于焊�,為高頻電路的設(shè)�(jì)提供了便��

�(yīng)�

HMC199MS8ETR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  - 無線通信基礎(chǔ)�(shè)施中的收�(fā)器模�
  - �(diǎn)對點(diǎn)微波無線電鏈�
  - 高性能測試與測量設(shè)�
  - 軍用雷達(dá)和電子對抗系�(tǒng)
  - �(wèi)星通信系統(tǒng)
  - 寬帶�(shù)�(jù)傳輸�(shè)�
  由于其出色的線性度和低噪聲特�,HMC199MS8ETR 特別適合需要高�(dòng)�(tài)范圍的應(yīng)用場景�

替代型號(hào)

HMC199LC4BTR

hmc199ms8etr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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hmc199ms8etr參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 射頻類型手機(jī),ISM,PCS
  • �?fù)?/span>反射
  • 電路2 x SPDT
  • 頻率范圍-
  • 隔離-
  • 插損-
  • 測試頻率-
  • P1dB23dBm(標(biāo)�(zhǔn))IP1dB
  • IIP336dBm(標(biāo)�(zhǔn)�
  • 特�-
  • 阻抗50 歐姆
  • 電壓 - 供電-
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-TSSOP�8-MSOP�0.118"�3.00mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-MSOP