HMC199MS8ETR 是一款由 Analog Devices(ADI)公司生�(chǎn)的寬�、高線性度 MMIC(單片微波集成電路)混頻�,采� GaAs E-pHEMT 工藝制�。該器件集成� LO 緩沖放大器、RF 放大器和 IF 放大�,適用于無線基礎(chǔ)�(shè)施、點(diǎn)對點(diǎn)無線電以及測試設(shè)備等�(yīng)�。HMC199MS8ETR 提供出色的射頻性能,并支持� DC � 6 GHz 的寬頻率范圍�
此混頻器具有單端輸入/輸出�(shè)�(jì),簡化了系統(tǒng)集成,同�(shí)其高�(dòng)�(tài)范圍和低噪聲系數(shù)特性使其非常適合需要高性能的接收機(jī)和發(fā)射機(jī)�(yīng)��
類型:混頻器
工藝:GaAs E-pHEMT
頻率范圍:DC � 6 GHz
LO 功率�+2 dBm 典型�
�(zhuǎn)換增益:7.5 dB(典型值)
隔離度:40 dB(典型�,LO � RF�
噪聲系數(shù)�8.5 dB(典型值)
輸入 IP3�+34 dBm(典型值)
工作電壓�+5 V
工作電流:約 100 mA
HMC199MS8ETR 提供卓越的射頻性能,包括高線性度、低噪聲和較寬的工作頻率范圍。它還內(nèi)置了多�(gè)放大器級(jí),從而減少了對外部元件的需�,�(jìn)一步簡化了�(shè)�(jì)過程�
其單端設(shè)�(jì)降低了與差分信號(hào)處理相關(guān)的復(fù)雜�,同�(shí)提供了更高的靈活性和兼容�。此�,這款芯片通過�(yōu)化功耗和性能之間的平衡,適合多種�(yīng)用環(huán)�,例如通信基站、雷�(dá)系統(tǒng)或高端測試設(shè)��
在封裝方�,HMC199MS8ETR 使用 MS8E 封裝形式,這種封裝緊湊且易于焊�,為高頻電路的設(shè)�(jì)提供了便��
HMC199MS8ETR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
- 無線通信基礎(chǔ)�(shè)施中的收�(fā)器模�
- �(diǎn)對點(diǎn)微波無線電鏈�
- 高性能測試與測量設(shè)�
- 軍用雷達(dá)和電子對抗系�(tǒng)
- �(wèi)星通信系統(tǒng)
- 寬帶�(shù)�(jù)傳輸�(shè)�
由于其出色的線性度和低噪聲特�,HMC199MS8ETR 特別適合需要高�(dòng)�(tài)范圍的應(yīng)用場景�
HMC199LC4BTR