IPD78CN10N G 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)等場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
該器件支持表面貼裝封裝,便于自動化生�(chǎn),并具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性,適合在各種嚴(yán)苛的工作�(huán)境下使用�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(VDS)�30V
最大柵源電�(VGS):�20V
連續(xù)漏極電流(ID)�10A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�1.5mΩ(典型�,VGS=10V�
柵極電荷(Qg)�29nC
開關(guān)速度:快速開�(guān)
工作溫度范圍(TJ)�-55℃至+175�
IPD78CN10N G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),能夠顯著減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器和開�(guān)電源�
3. 高額定電流和耐壓能力,確保在大功率場景下的穩(wěn)定��
4. 出色的熱性能�(shè)�,有助于散熱管理,延長使用壽��
5. 提供過溫保護和靜電防護功能,�(jìn)一步增強了器件的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
IPD78CN10N G 可應(yīng)用于多個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電機控制和�(qū)動電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和繼電器替代方案�
4. 家用電器和消費電子產(chǎn)品的功率管理模塊�
5. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換組��
IPD78CN08N G, IPB018N06N G