HIN202EIBNZ+T 是一款高性能、低功耗的雙通道運算放大器,適用于需要高精度和穩(wěn)定性的電子電路�(shè)�。該芯片采用先�(jìn)� CMOS 工藝制�,能夠在寬電源電壓范圍內(nèi)工作,并且具備出色的輸入阻抗和共模抑制比(CMRR)。其封裝形式� SOIC-8,適合表面貼裝工��
這款運放非常適合用于工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)�、音頻處理和傳感器信號調(diào)理等�(yīng)用領(lǐng)�。由于其超低的偏置電流和噪聲特性,能夠有效提升信號的純凈度和穩(wěn)定��
電源電壓范圍�2.7V � 5.5V
輸入偏置電流�1pA(典型值)
帶寬�2MHz
壓擺率:1.2V/us
工作溫度范圍�-40� � +125�
封裝形式:SOIC-8
輸入失調(diào)電壓�10uV(最大值)
共模抑制比:100dB(典型值)
供電電流�300uA(每通道�
HIN202EIBNZ+T 具備許多�(yōu)異的特性,使其成為眾多精密模擬電路的理想選��
1. 超低輸入偏置電流:僅� 1pA 的典型�,使它在處理微弱信號時表�(xiàn)出色,例如高阻抗傳感器信號的放大�
2. 高共模抑制比(CMRR):高達(dá) 100dB 的典型值確保了即使在存在強干擾的環(huán)境中,也能提取出純凈的信��
3. 寬工作電壓范圍:支持� 2.7V � 5.5V 的電源電�,滿足多種便攜式或電池供電設(shè)備的需求�
4. 極低的噪聲性能:其輸入電壓噪聲密度僅為 9nV/√Hz,在音頻和其他對噪聲敏感的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�
5. 溫度�(wěn)定性:能夠� -40� � +125� 的寬溫范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用需��
6. 小型化封裝:采用 SOIC-8 表面貼裝封裝,便于集成到緊湊型設(shè)計中�
HIN202EIBNZ+T 運算放大器廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動化:可用于信號調(diào)理、傳感器接口和控制系�(tǒng)中的反饋回路�
2. �(yī)療電子:如心電圖(ECG�、脈搏血氧儀等設(shè)備中的生物電信號放大�
3. 音頻處理:在高品�(zhì)音頻�(shè)備中作為前置放大�,提供低失真和低噪聲的表�(xiàn)�
4. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng):用� ADC 的驅(qū)動器或緩沖器,以提高信號的完整性�
5. 通信�(shè)備:在射頻前端模塊或其他模擬信號鏈路中起到關(guān)鍵作��
6. 消費類電子產(chǎn)品:包括便攜式設(shè)�、智能家居控制器等需要高效能與低功耗特性的場景�
HIN202EIBNZ+L, OPA2376, ADA4500-2