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時(shí)間：2025/5/29 3:14:43
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GA0402A121GXAAC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件屬于溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其設(shè)計(jì)優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度，能夠顯著提升效率并降低能耗。
這款 MOSFET 的封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，適合表面貼裝工藝，具有良好的熱性能和電氣特性，適用于高密度和緊湊型設(shè)計(jì)需求。
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓（Vds）：40V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
持續(xù)漏極電流（Id）：25A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.5mΩ
柵極電荷（Qg）：46nC
總電容（Ciss）：1880pF
功耗（Pd）：175W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
GA0402A121GXAAC31G 具備低導(dǎo)通電阻，從而減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，其快速開關(guān)能力使其非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
此外，該 MOSFET 具有出色的熱穩(wěn)定性和抗浪涌電流能力，能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持可靠運(yùn)行。
它還具備較低的柵極電荷和輸入電容，這有助于簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，并進(jìn)一步降低開關(guān)損耗。
此器件采用無鉛封裝，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，支持環(huán)保制造流程。
該芯片廣泛應(yīng)用于各類工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)（BMS）、負(fù)載開關(guān)以及 LED 驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。
在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中，它也可用于牽引逆變器和輔助電源模塊。
此外，由于其高功率處理能力和緊湊尺寸，該器件是服務(wù)器電源、通信電源和其他高能效應(yīng)用的理想選擇。
GA0402A121GXAAC32G
IRFZ44N
FDP5800
