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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > HH18N151G101CT

HH18N151G101CT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/25 9:59:13 查看 閱讀�43

HH18N151G101CT 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻和高功率�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,非常適合用于電源管�、無線充�、快充適配器以及其他高效能轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
  HH18N151G101CT 的設(shè)�(jì)�(yōu)化了能量損耗并支持更高的工作頻�,使其成為傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的高性能替代品。其封裝形式為表面貼裝型,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效散��

參數(shù)

類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷�65nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:10ns
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝:TO-247

特�

1. 高效率:得益于低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,可顯著降低傳導(dǎo)和開�(guān)損��
  2. 高頻能力:支持高�(dá) MHz �(jí)別的開關(guān)頻率,能夠減少磁性元件的尺寸和系�(tǒng)體積�
  3. 熱穩(wěn)定性:在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能和可靠性�
  4. �(qiáng)大的耐壓能力:最大漏源電壓為 650V,適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  5. 小型化設(shè)�(jì):通過先�(jìn)的封裝技�(shù),在保證性能的同�(shí)減小了整體占用空間�
  6. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS):包括 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 快速充電器:支持更高效率和更小尺寸的快充方��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):提供高效的功率控制以支持各類電�(jī)�(yīng)��
  4. 無線充電�(shè)備:提高能量傳輸效率�
  5. 新能源汽車中的車載充電器(OBC)和 DC/DC �(zhuǎn)換模塊�
  6. 工業(yè)電源和逆變器:適用于需要高效率和高可靠性的工業(yè)�(chǎng)��

替代型號(hào)

HH18N150G101CT, HH18N152G101CT

hh18n151g101ct參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�4,000 : �0.13119卷帶(TR�
  • 系列HH
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損耗,超低 ESR
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"�0.87mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-