HH18N151G101CT 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻和高功率�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,非常適合用于電源管�、無線充�、快充適配器以及其他高效能轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
HH18N151G101CT 的設(shè)�(jì)�(yōu)化了能量損耗并支持更高的工作頻�,使其成為傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的高性能替代品。其封裝形式為表面貼裝型,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效散��
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�65nC
反向恢復(fù)�(shí)間:10ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝:TO-247
1. 高效率:得益于低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,可顯著降低傳導(dǎo)和開�(guān)損��
2. 高頻能力:支持高�(dá) MHz �(jí)別的開關(guān)頻率,能夠減少磁性元件的尺寸和系�(tǒng)體積�
3. 熱穩(wěn)定性:在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能和可靠性�
4. �(qiáng)大的耐壓能力:最大漏源電壓為 650V,適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)��
5. 小型化設(shè)�(jì):通過先�(jìn)的封裝技�(shù),在保證性能的同�(shí)減小了整體占用空間�
6. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 快速充電器:支持更高效率和更小尺寸的快充方��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):提供高效的功率控制以支持各類電�(jī)�(yīng)��
4. 無線充電�(shè)備:提高能量傳輸效率�
5. 新能源汽車中的車載充電器(OBC)和 DC/DC �(zhuǎn)換模塊�
6. 工業(yè)電源和逆變器:適用于需要高效率和高可靠性的工業(yè)�(chǎng)��
HH18N150G101CT, HH18N152G101CT