HGTP3N60A4是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,適用于高頻�(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能��
其封裝形式為T(mén)O-220,能夠有效地�(jìn)行散熱管�,廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備中�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�3.5A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5Ω
柵極-源極電壓:�20V
功耗:105W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
HGTP3N60A4具有高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻以及快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn)。這些特性使其非常適合用于需要高效率和可靠性的�(chǎng)��
此外,該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能�,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持性能�
由于其封裝設(shè)�(jì)合理,能夠方便地集成到各種電路系�(tǒng)�,并且易于安裝和維護(hù)�
該MOSFET常用于開(kāi)�(guān)電源、直流電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變�、不間斷電源(UPS)、電磁閥�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
在開(kāi)�(guān)電源�,它可以用作主開(kāi)�(guān)管或同步整流�;在電機(jī)控制�(lǐng)�,它可以�(shí)�(xiàn)高效的PWM�(diào)制功��
另外,在一些要求小型化但又需要較大功率輸出的�(yīng)用中也非常適��
IRF840, STP17N60C