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DMN2501UFB4 時(shí)間：2025/5/23 9:43:05 閱讀：13

DMN2501UFB4是來自Diodes Incorporated的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用UF-3B封裝形式，適合用于高頻開關(guān)應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高效率的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大柵源電壓：±8V
　　持續(xù)漏極電流：2.9A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，在Vgs=4.5V時(shí)）
　　柵極電荷：6nC（典型值）
　　總電容：230pF（輸入電容）
　　工作溫度范圍：-55℃至150℃

特性

DMN2501UFB4是一款專為高效能設(shè)計(jì)優(yōu)化的MOSFET器件。
　　它具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可以有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開關(guān)速度，適合高頻操作環(huán)境，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速開關(guān)的需求。
　　3. 小型化的UF-3B封裝形式，能夠在有限的空間內(nèi)提供高性能表現(xiàn)，非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　4. 較寬的工作溫度范圍（-55℃至150℃），確保其在各種嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 高度可靠的設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的電氣特性和熱穩(wěn)定性。
　　這些特性使得DMN2501UFB4成為多種電源管理應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

DMN2501UFB4適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊，例如手機(jī)充電器、適配器等。
　　2. 負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)，用于控制電路中不同負(fù)載的開啟與關(guān)閉。
　　3. 各種DC-DC轉(zhuǎn)換器電路，包括降壓、升壓及升降壓轉(zhuǎn)換器。
　　4. 電池供電設(shè)備中的保護(hù)電路，如過流保護(hù)和短路保護(hù)。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)切換與驅(qū)動(dòng)電路。
　　由于其出色的性能和緊湊的封裝，DMN2501UFB4在眾多領(lǐng)域均表現(xiàn)出色。