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HGTG30N60B3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/20 15:46:07 查看 閱讀:17

HGTG30N60B3是一款由Infineon(英飛凌)生產(chǎn)的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件屬于TRENCHSTOP? IGBT技術(shù)系列,主要應(yīng)用于需要高電壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能的場景。HGTG30N60B3采用TO-247封裝形式,具有良好的熱性能和電氣特性,適合于工業(yè)、汽車及能源領(lǐng)域的各種應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓Vds:600V
  連續(xù)漏極電流Id:30A
  柵極閾值電壓Vgs(th):4V
  導(dǎo)通電阻Rds(on):150mΩ(在典型條件下)
  功耗Ptot:18W
  結(jié)溫范圍Tj:-55℃ to +150℃

特性

HGTG30N60B3具備出色的耐壓能力,可以承受高達(dá)600V的工作電壓,確保在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))能夠減少功率損耗,并提升效率。
  此外,該器件擁有快速開關(guān)速度,可有效降低開關(guān)損耗并支持高頻操作。
  HGTG30N60B3還具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫條件下長時(shí)間工作,同時(shí)具備強(qiáng)大的短路耐受能力,提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
  由于采用了先進(jìn)的TRENCHSTOP?技術(shù),這款MOSFET實(shí)現(xiàn)了更小的芯片面積和更高的功率密度。

應(yīng)用

HGTG30N60B3廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
  1. 工業(yè)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),例如不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等。
  2. 電動(dòng)汽車中的車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器。
  3. 開關(guān)模式電源(SMPS)和PFC(功率因數(shù)校正)電路。
  4. 高效照明設(shè)備,如LED驅(qū)動(dòng)器和熒光燈電子鎮(zhèn)流器。
  總之,HGTG30N60B3適用于任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場景。

替代型號

FGH30N60SMD,
  IXFH30N60P3,
  STP30NF60,
  IRFP460,
  FDP15U60AE

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hgtg30n60b3參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝150
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開)1.9V @ 15V,30A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最大208W
  • 輸入類型標(biāo)準(zhǔn)型
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247
  • 包裝管件
  • 其它名稱HGTG30N60B3-NDHGTG30N60B3FS