日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好，歡迎來(lái)到維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置：電子元器件采購(gòu)網(wǎng) > IC百科 > HGTG11N120CND

HGTG11N120CND 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 13:15:06 查看 閱讀：15

HGTG11N120CND 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），適用于高電壓、高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。這款器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，適合用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及逆變器等場(chǎng)景。
　　該 MOSFET 的最大漏源極電壓為 1200V，能夠承受高電壓環(huán)境下的工作需求。同時(shí)，它還具備優(yōu)秀的熱性能和可靠性，能夠在各種工業(yè)及汽車(chē)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景中穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

最大漏源極電壓：1200V
　　最大連續(xù)漏電流：11A
　　最大柵源電壓：±20V
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.3Ω
　　總柵極電荷：65nC
　　輸入電容：1450pF
　　功耗：27W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

1. 高電壓耐受能力：支持高達(dá) 1200V 的漏源極電壓，適合高壓電路設(shè)計(jì)。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：在高電流條件下提供更低的損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力：較小的柵極電荷使得開(kāi)關(guān)速度更快，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 高可靠性：經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，可在極端溫度范圍內(nèi)可靠工作。
　　5. 小封裝設(shè)計(jì)：緊湊的外形尺寸節(jié)省了 PCB 空間，便于布局優(yōu)化。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保材料確保符合國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

1. 功率轉(zhuǎn)換：如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：包括無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）和步進(jìn)電機(jī)控制。
　　3. 太陽(yáng)能逆變器：
　　4. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）：
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高壓開(kāi)關(guān)。
　　6. 電動(dòng)車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)的牽引逆變器。
　　7. 充電器和其他需要高電壓開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

HGTG12N120CND, IRG4PC20UD, FCH09N120B

hgtg11n120cnd推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

hgtg11n120cnd資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

hgtg11n120cnd參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝150
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類(lèi)型NPT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）1200V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）2.4V @ 15V，11A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）43A
  • 功率 - 最大298W
  • 輸入類(lèi)型標(biāo)準(zhǔn)型
  • 安裝類(lèi)型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247
  • 包裝管件