GA1206A391JBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,能夠顯著提升電路效率并降低能耗。
其封裝形式為 TO-252(DPAK),適合表面貼裝工藝,具備良好的散熱性能,適用于需要高效率和高可靠性的應(yīng)用場景。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:40A
導(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷:35nC
開關(guān)時間:典型值 12ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 150℃
GA1206A391JBABR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低傳導(dǎo)損耗。
2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場合。
3. 內(nèi)置 ESD 保護功能,增強芯片的抗靜電能力。
4. 小型化封裝設(shè)計,簡化 PCB 布局并提高生產(chǎn)效率。
5. 穩(wěn)定的電氣性能和高可靠性,能夠在惡劣環(huán)境下長期運行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準,綠色環(huán)保。
該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和升壓/降壓模塊。
3. 電機驅(qū)動和控制電路。
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理部分。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電路。
IRFZ44N
FDP5800
AON6710