H9TQ64A8GTBCUR-KUM 是由 SK hynix 生產(chǎn)� NAND 閃存芯片,采� TLC(Triple-Level Cell)技�(shù)。該芯片主要�(yīng)用于需要大容量存儲(chǔ)和高性能�(shù)�(jù)傳輸?shù)�?chǎng)合,例如固態(tài)硬盤(SSD�、嵌入式存儲(chǔ)�(shè)備和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。其�(shè)�(jì)注重高密度存�(chǔ)與低功耗特性,適合�(duì)存儲(chǔ)成本敏感的大�(guī)模數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�(yīng)用�
容量�64GB
接口類型:Toggle DDR 3.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:TSOP
存儲(chǔ)單元類型:TLC
�(yè)�?�?6KB
區(qū)塊大?�?048�(yè)
擦寫周期:約 1000 �
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:1年(� 30°C 條件下)
讀取速度:高�(dá) 533 MT/s
寫入速度:高�(dá) 533 MT/s
H9TQ64A8GTBCUR-KUM 芯片具備高密度存�(chǔ)能力,同�(shí)支持高速數(shù)�(jù)傳輸�(xié)� Toggle DDR 3.0,確保了高效的性能表現(xiàn)�
該芯片采� TLC 技�(shù),能夠在每�(gè)存儲(chǔ)單元�(nèi)保存 3 位數(shù)�(jù),從而顯著提高存�(chǔ)密度并降低每單位容量的成本�
� TSOP 封裝形式使其易于集成到各種嵌入式系統(tǒng)�,同�(shí)保持較低的功耗水�,適用于移動(dòng)�(shè)備或?qū)δ苄б筝^高的�(chǎng)��
此外,該芯片具有良好的可靠性和�(wěn)定性,即使�(jīng)過多次擦寫循�(huán)后仍能保持較高的�(shù)�(jù)完整��
H9TQ64A8GTBCUR-KUM 主要用于消費(fèi)�(jí)和工�(yè)�(jí)存儲(chǔ)�(chǎn)品中,包括但不限于:
1. 固態(tài)硬盤(SSD�
2. 嵌入式存�(chǔ)模塊(如 eMMC � UFS�
3. �(nèi)存卡(SD �、MicroSD 卡等�
4. �(jiān)控錄像存�(chǔ)�(shè)�
5. 工業(yè)控制�(shè)備中的數(shù)�(jù)記錄功能
6. 智能家居和物�(lián)�(wǎng)�(shè)備中的本地存�(chǔ)需�