H9HKNNNEBMAVAR-NEH 是一款由 SK 海力士(SK Hynix)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片。該型號(hào)采用先�(jìn)的存�(chǔ)技�(shù),具有高密度、低功耗和快速數(shù)�(jù)傳輸?shù)奶攸c(diǎn),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子設(shè)備和嵌入式系�(tǒng)�。其主要用途包括固�(tài)硬盤(SSD)、U �、存�(chǔ)卡以及其他需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景�
存儲(chǔ)容量�512GB
接口類型:Toggle DDR 3.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:eMCP (Enhanced Multi Chip Package)
�(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
擦寫次數(shù)�3000 次(典型值)
工作溫度范圍�-25°C � +85°C
待機(jī)功耗:低于 100uA
H9HKNNNEBMAVAR-NEH 芯片采用� 3D TLC NAND 技�(shù),具備更高的存儲(chǔ)密度和更�(zhǎng)的使用壽�。相比傳�(tǒng)平面 NAND�3D TLC 技�(shù)通過堆疊多層存儲(chǔ)單元顯著提升了存�(chǔ)容量。此�,該芯片支持 Toggle DDR 3.0 接口�(xié)�,提供高�(dá) 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率,確保高效的性能表現(xiàn)�
在可靠性方�,這款芯片�(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,能夠在極端溫度條件下保持�(wěn)定運(yùn)行。同�(shí),其超低功耗設(shè)�(jì)使得它非常適合對(duì)電池�(xù)航有要求的移�(dòng)�(shè)��
此外,該芯片還支持多種高�(jí)功能,例� ECC(錯(cuò)誤校正碼)和磨損均衡(Wear Leveling�,從而�(jìn)一步提升數(shù)�(jù)完整性和延長(zhǎng)使用壽命�
H9HKNNNEBMAVAR-NEH 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD�
2. USB 閃存盤(U 盤)
3. microSD � SD 存儲(chǔ)�
4. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)�(shè)備中的內(nèi)部存�(chǔ)
5. 工業(yè)�(jí)嵌入式系�(tǒng)� IoT �(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案
6. 車載娛樂系統(tǒng)及導(dǎo)航設(shè)備的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)模塊
H9HPNNNGCMAVAR-KEM
H9HNNNNCBMAVRR-EUC
H9HCNNNFAMAVR-KGM