日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > H9HKNNNEBMAVAR-NEH

H9HKNNNEBMAVAR-NEH 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 9:01:58 查看 閱讀�23

H9HKNNNEBMAVAR-NEH 是一款由 SK 海力士(SK Hynix)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片。該型號(hào)采用先�(jìn)的存�(chǔ)技�(shù),具有高密度、低功耗和快速數(shù)�(jù)傳輸?shù)奶攸c(diǎn),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子設(shè)備和嵌入式系�(tǒng)�。其主要用途包括固�(tài)硬盤(SSD)、U �、存�(chǔ)卡以及其他需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景�

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�512GB
  接口類型:Toggle DDR 3.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:eMCP (Enhanced Multi Chip Package)
  �(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
  擦寫次數(shù)�3000 次(典型值)
  工作溫度范圍�-25°C � +85°C
  待機(jī)功耗:低于 100uA

特�

H9HKNNNEBMAVAR-NEH 芯片采用� 3D TLC NAND 技�(shù),具備更高的存儲(chǔ)密度和更�(zhǎng)的使用壽�。相比傳�(tǒng)平面 NAND�3D TLC 技�(shù)通過堆疊多層存儲(chǔ)單元顯著提升了存�(chǔ)容量。此�,該芯片支持 Toggle DDR 3.0 接口�(xié)�,提供高�(dá) 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率,確保高效的性能表現(xiàn)�
  在可靠性方�,這款芯片�(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,能夠在極端溫度條件下保持�(wěn)定運(yùn)行。同�(shí),其超低功耗設(shè)�(jì)使得它非常適合對(duì)電池�(xù)航有要求的移�(dòng)�(shè)��
  此外,該芯片還支持多種高�(jí)功能,例� ECC(錯(cuò)誤校正碼)和磨損均衡(Wear Leveling�,從而�(jìn)一步提升數(shù)�(jù)完整性和延長(zhǎng)使用壽命�

�(yīng)�

H9HKNNNEBMAVAR-NEH 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD�
  2. USB 閃存盤(U 盤)
  3. microSD � SD 存儲(chǔ)�
  4. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)�(shè)備中的內(nèi)部存�(chǔ)
  5. 工業(yè)�(jí)嵌入式系�(tǒng)� IoT �(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案
  6. 車載娛樂系統(tǒng)及導(dǎo)航設(shè)備的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)模塊

替代型號(hào)

H9HPNNNGCMAVAR-KEM
  H9HNNNNCBMAVRR-EUC
  H9HCNNNFAMAVR-KGM

h9hknnnebmavar-neh推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

h9hknnnebmavar-neh�(chǎn)�