H5TQ4G63EFR-TEC 是一款由海力士(SK Hynix)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,采� TLC(Triple-Level Cell)技�(shù)。該芯片具有高密度存�(chǔ)能力和較低的功耗,適用于需要大容量存儲(chǔ)的嵌入式系統(tǒng)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)�,例如固�(tài)硬盤(pán)(SSD)、USB 閃存�(pán)、內(nèi)存卡�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(shù)�(jù)讀�(xiě)性能,并支持多種接口�(biāo)�(zhǔn)以適�(yīng)不同的應(yīng)用需求�
該型�(hào)屬于海力士的 48 � 3D NAND 系列,提供高�(dá) 512Gb 的存�(chǔ)容量(未格式化),并具備良好的可靠性和耐用��
容量�512Gb (64GB)
工藝技�(shù)�48� 3D TLC NAND
接口�(lèi)型:Toggle Mode 2.0 � ONFI 3.0
工作電壓:Core Voltage (Vcc): 1.8V ± 0.1V, I/O Voltage (Vccq): 1.8V ± 0.1V
封裝形式:WSON48 封裝
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá) 400 MT/s
擦寫(xiě)壽命:約 1000 �
工作溫度范圍�0°C � 70°C (商用�(jí))
H5TQ4G63EFR-TEC 使用 TLC 存儲(chǔ)單元�(jié)�(gòu),每�(gè)存儲(chǔ)單元可以保存 3 位數(shù)�(jù),從而實(shí)�(xiàn)了更高的存儲(chǔ)密度和更低的成本。它支持 Toggle DDR 2.0 接口�(xié)�,能夠提供更快的�(shù)�(jù)傳輸速度和更低的延遲。此�,該芯片�(nèi)� ECC(Error Correction Code)引擎,增強(qiáng)了數(shù)�(jù)的完整性和可靠��
其低功耗設(shè)�(jì)特別適合移動(dòng)�(shè)備和�(duì)能效要求較高的場(chǎng)�。同�(shí),該芯片通過(guò)先�(jìn)的制造工�,在保證高性能的同�(shí)減少了芯片面�,從而降低了整體成本�
另外,H5TQ4G63EFR-TEC 提供全面的壞塊管理功能,可有效延�(zhǎng)�(chǎn)品使用壽�,并支持多頁(yè)面編程操�,�(jìn)一步提升寫(xiě)入效��
H5TQ4G63EFR-TEC 廣泛�(yīng)用于各種需要非易失性存�(chǔ)的場(chǎng)�,包括但不限于:
- 固態(tài)硬盤(pán)(SSD�
- USB 閃存�(pán)
- 微型 SD 卡及其它存儲(chǔ)�
- 嵌入式存�(chǔ)模塊(如 eMMC � UFS�
- 工業(yè)控制�(shè)備中的日志記錄與�(shù)�(jù)存儲(chǔ)
- 智能家居�(shè)備和物聯(lián)�(wǎng)終端的數(shù)�(jù)緩存
- �(chē)載信息娛�(lè)系統(tǒng)中的媒體存儲(chǔ)
由于其出色的�?xún)r(jià)比和大容量特�(diǎn),這款芯片非常適合大規(guī)模量�(chǎn)的產(chǎn)品線(xiàn)�
H5TC4G63AFR-TNC, H5TC4G63BFR-TNC