H5TQ4G63EFR-RDI 是一款由海力士(SK Hynix)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,采� Toggle DDR 2.0 接口技�(shù)。該芯片具有高可靠性和高性能,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備和嵌入式系�(tǒng)等領(lǐng)�。其主要功能是提供大容量的非易失性存儲,適用于需要頻繁讀寫操作的�(yīng)用場��
容量�32GB
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓Vcc�1.8V ± 0.1V
�(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
封裝形式:BGA
工作溫度范圍�-25°C � +85°C
頁大?�?6KB
區(qū)塊大小:2048�
ECC要求:≤72 bits/1KByte
H5TQ4G63EFR-RDI 具有以下顯著特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口,數(shù)�(jù)傳輸速率高達(dá) 400MT/s�
2. 大容量存儲:單顆芯片即可提供 32GB 的存儲空�,適合高密度存儲需求�
3. 可靠性高:具備強(qiáng)大的錯誤校正能力(ECC),能夠有效提升�(shù)�(jù)完整��
4. 耐用性強(qiáng):采用先�(jìn)的制造工�,支持多次擦寫周期,延長使用壽命�
5. 低功耗設(shè)�(jì):工作電壓為 1.8V,有助于降低整體系統(tǒng)能耗�
H5TQ4G63EFR-RDI 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如智能手�(jī)、平板電�、智能電視等�
2. 存儲�(shè)備:例如固態(tài)硬盤(SSD�、USB 閃存盤和記憶��
3. 工業(yè)與醫(yī)療設(shè)備:如數(shù)�(jù)記錄儀、醫(yī)療影像設(shè)備等�
4. 嵌入式系�(tǒng):適用于需要高效存儲的嵌入式計(jì)算平��
5. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:路由�、交換機(jī)等需要穩(wěn)定存儲的�(wǎng)�(luò)硬件�
H5TC4G63AFR-KPI,H5TC4G63AFFR-PPI