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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDD3670

FDD3670 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 10:01:03 查看 閱讀�22

FDD3670是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管,主要用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具備出色的�(kāi)�(guān)特性和�(dǎo)通性能,適合在多種電源管理�(yīng)用中使用�
  其封裝形式通常為TO-220或TO-252(DPAK�,具體取決于制造商的標(biāo)�(zhǔn)。這款晶體管適用于汽車電子、工�(yè)�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:4mΩ
  總柵極電荷:11nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:典型值開(kāi)啟時(shí)�29ns,關(guān)斷時(shí)�13ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

FDD3670具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,其快速開(kāi)�(guān)速度使其非常適合高頻�(yīng)用,例如DC-DC�(zhuǎn)換器和開(kāi)�(guān)模式電源(SMPS��
  該器件還具有良好的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持�(yōu)異的性能。同�(shí),它支持大電流負(fù)�,因此在電機(jī)控制和電池管理系�(tǒng)中也表現(xiàn)出色。此�,它的封裝設(shè)�(jì)確保了良好的散熱性能,�(jìn)一步增�(qiáng)了其可靠��

�(yīng)�

FDD3670廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 電池管理及保�(hù)電路
  5. 汽車電子如啟�(dòng)停止系統(tǒng)和電�(dòng)車窗控制
  6. 工業(yè)自動(dòng)化中的繼電器替代和固�(tài)�(kāi)�(guān)

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  STP30NF06L

fdd3670推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdd3670資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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  • FDD3670
  • 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 閱覽

fdd3670參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C34A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C32 毫歐 @ 7.3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2490pF @ 50V
  • 功率 - 最�1.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252
  • 包裝帶卷 (TR)