H5TQ1G63EFR-PBC 是一款由海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的NAND閃存芯片,主要應(yīng)用于存儲�(shè)備中。該芯片采用MLC(多層單元)技�(shù),具有較高的存儲密度和可靠�,適用于需要大容量存儲的場�,例如固�(tài)硬盤(SS入式存儲�(shè)��
這款芯片屬于Toggle DDR NAND Flash系列,支持高速數(shù)�(jù)傳輸,并具備較低的功耗特性,使其在移動設(shè)備和消費電子�(lǐng)域得到廣泛應(yīng)��
容量�128Gb (16GB)
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�169
�(shù)�(jù)傳輸速率:最�400MB/s
擦寫周期�3000�
H5TQ1G63EFR-PBC采用了先進的制程工藝,具備以下顯著特點:
1. 高速性能:支持Toggle DDR 2.0接口�(xié)�,可實現(xiàn)高達400MB/s的數(shù)�(jù)傳輸速率,確保快速讀寫操��
2. 大容量存儲:單顆芯片提供128Gb�16GB)的存儲容量,滿足現(xiàn)代設(shè)備對大容量存儲的需��
3. 低功耗設(shè)計:通過�(yōu)化電路結(jié)�(gòu)和工作模�,降低芯片在運行過程中的功�,延長電池續(xù)航時間�
4. 可靠性高:經(jīng)過嚴格的測試與驗證,確保在各種環(huán)境條件下�(wěn)定工�,擦寫周期可�3000次�
5. 小型化封裝:采用BGA封裝形式,引腳數(shù)�169,便于在空間受限的應(yīng)用場景中使用�
H5TQ1G63EFR-PBC廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為主存儲介�(zhì),提供高性能和大容量的存儲解決方案�
2. USB閃存盤:用于制造大容量、高速度的U盤產(chǎn)品�
3. 嵌入式系�(tǒng):如工業(yè)控制�(shè)�、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等,提供可靠的存儲功能�
4. 移動�(shè)備:包括智能手機、平板電腦等消費電子�(chǎn)品,支持快速啟動和高效運行�
5. �(shù)字攝像機和數(shù)碼相機:記錄高質(zhì)量視頻和圖像文件,保證數(shù)�(jù)安全�
H5TC1G63CMR-PBC, H5TC1G63AFR-PBC