EMJ316BB7106MLHT 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,屬于東芝公司的 MOSFET 系列。該型號(hào)采用 TO-252 封裝形式,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理等�(lǐng)�。其�(shè)�(jì)注重低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于需要高效能和穩(wěn)定性的電路系統(tǒng)�
該芯片的核心特點(diǎn)是其出色的電氣性能,使其能夠適�(yīng)各種�(fù)雜的�(yīng)用環(huán)�。通過�(yōu)化溝道結(jié)�(gòu)和封裝技�(shù),EMJ316BB7106MLHT 在降低功耗的同時(shí)提升了系�(tǒng)的整體效��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電� (Vds)�60V
最大柵源電� (Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流 (Id)�14A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�4.8mΩ (典型�,Vgs=10V)
總功耗:27W (Tc=25�)
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
1. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)):有助于減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力:支持高頻應(yīng)�,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能的需��
3. 高耐壓能力�60V 的最大漏源電� (Vds),確保在高壓�(huán)境下仍能保持�(wěn)定性�
4. 寬廣的工作溫度范圍:� -55� � +175�,適用于極端�(huán)境下的應(yīng)��
5. 小型化封裝:TO-252 (DPAK) 封裝節(jié)省空�,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
6. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測試和�(yàn)�,保證長�(shí)間運(yùn)行的�(wěn)定��
1. 開關(guān)電源 (SMPS):用� DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC 適配器中,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于無刷直流電機(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)控制,提升驅(qū)�(dòng)效率�
3. 工業(yè)自動(dòng)化:在工�(yè)控制系統(tǒng)中作為功率開�(guān)使用,實(shí)�(xiàn)精確的負(fù)載控制�
4. 汽車電子:可用于車載充電�、LED �(qū)�(dòng)和電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)等�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、智能手�(jī)快充模塊��
6. 可再生能源:在太陽能逆變器和�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)中作為功率調(diào)節(jié)器件�
1. IRF540N:具有類似的 Vds � Rds(on) 參數(shù),適用于相同類型的電��
2. FQP16N06L:同樣為 N 溝道 MOSFET,具備較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能��
3. AO3400A:一款超小型 MOSFET,適合對(duì)空間要求�(yán)格的場合�
4. BUK9Y1R4-60E:英飛凌公司生產(chǎn)的高性能 MOSFET,與 EMJ316BB7106MLHT 性能接近�
5. STP14NF06L:意法半�(dǎo)體推出的 N 溝道 MOSFET,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換領(lǐng)��