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H5TQ1G63BFR-H9C 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 2:41:38 查看 閱讀：6

H5TQ1G63BFR-H9C 是一款由海力士（SK Hynix）生產(chǎn)的NAND閃存芯片，采用Toggle DDR接口技術(shù)。這款芯片主要應(yīng)用于需要大容量存儲(chǔ)和高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備中，例如固態(tài)硬盤（SSD）、U盤、記憶卡以及嵌入式系統(tǒng)等。其制造工藝先進(jìn)，具備高可靠性和低功耗的特點(diǎn)。

參數(shù)

容量：512Gb
　　接口類型：Toggle DDR 3.0
　　電壓：1.8V
　　封裝形式：BGA
　　工作溫度范圍：-40°C ~ +85°C
　　數(shù)據(jù)傳輸速率：最高可達(dá) 400MT/s

特性

H5TQ1G63BFR-H9C 使用了先進(jìn)的制程技術(shù)，提供了更高的存儲(chǔ)密度和更快的數(shù)據(jù)讀寫速度。它支持強(qiáng)大的錯(cuò)誤檢測(cè)與糾正功能（ECC），從而確保數(shù)據(jù)的完整性與可靠性。此外，該芯片具有較低的工作電壓，有助于減少功耗，非常適合對(duì)能耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　其Toggle DDR接口設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)高效的雙倍數(shù)據(jù)速率傳輸，滿足現(xiàn)代設(shè)備對(duì)快速響應(yīng)的需求。同時(shí)，它在極端溫度條件下的穩(wěn)定表現(xiàn)也使其適用于工業(yè)和汽車領(lǐng)域。

應(yīng)用

H5TQ1G63BFR-H9C 廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備中，包括但不限于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存盤、microSD卡以及其他需要高性能存儲(chǔ)解決方案的場(chǎng)合。此外，由于其出色的耐溫性能，該芯片也被用于汽車電子系統(tǒng)、監(jiān)控錄像設(shè)備以及各種嵌入式計(jì)算平臺(tái)。

替代型號(hào)

H5TC1G63CMR-PBC, H5TC1G63AFR-KBC

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