H27UCG8T2BTR-BC 是一款由海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的NAND閃存芯片。該芯片采用MLC(多層單元)技�,主要應用于需要大容量存儲的設備中,例如固�(tài)硬盤(SSD�、USB閃存盤和嵌入式存儲解決方案。這款芯片具有高可靠性和快速讀寫性能,支持廣泛的工業(yè)和消費類應用�
類型:NAND Flash
存儲容量�128GB
接口:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:WSON
頁大?�?6KB
區(qū)塊大小:512KB
�(shù)�(jù)保留時間�10�
擦寫周期�3000�
H27UCG8T2BTR-BC 芯片采用了先進的制程工藝制造,確保了較低的功耗和較高的存儲密��
其Toggle DDR 2.0接口提供了高�400MT/s的數(shù)�(jù)傳輸速率,顯著提升了系統(tǒng)的整體性能�
該芯片支持ONFI(開放NAND閃存接口)規(guī)�,能夠兼容多種主控芯片和系統(tǒng)架構�
此外,它還內(nèi)置了ECC(錯誤檢查與糾正)功�,可以有效提高數(shù)�(jù)的完整性和可靠��
為了滿足不同應用場景的需求,該芯片在設計上充分考慮了高低溫�(huán)境下的穩(wěn)定�,能夠在-40°C�+85°C的溫度范圍內(nèi)正常工作�
H27UCG8T2BTR-BC 主要應用于各種需要高性能和大容量存儲的領��
包括但不限于固態(tài)硬盤(SSD�,用于個人電腦和服務器的數(shù)�(jù)存儲�
USB閃存�,提供便捷的移動存儲解決方案�
以及嵌入式系�(tǒng)中的存儲模塊,如�(wǎng)絡設備、工�(yè)控制設備和車載信息系�(tǒng)��
同時,由于其良好的穩(wěn)定性和可靠�,該芯片也廣泛應用于�(jiān)控錄像機、數(shù)碼相機和其他便攜式電子設備中�
H27UCG8T2BTR-KC
H27UHG8T2BTR-BC
H27UCG8T2BTR-MC