MCR01MZPJ103 是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的低�(dǎo)通電�、小型化封裝的N溝道功率MOSFET。該型號采用USP-6B封裝形式,適用于各種需要高效能開關(guān)和較低功耗的�(yīng)用場�。其主要特性包括低�(dǎo)通電�、高電流處理能力和快速開�(guān)性能,適合用于電源管理電�、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及電機�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
該芯片設(shè)計注重在便攜式電子設(shè)備中的應(yīng)�,例如筆記本電腦適配�、智能手機充電器以及其他消費類電子產(chǎn)品中的電源模�。通過�(yōu)化的芯片�(jié)�(gòu)和先進的制造工�,MCR01MZPJ103能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
型號:MCR01MZPJ103
類型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源極電壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.0mΩ(典型�,Vgs=10V�
Id(連續(xù)漏極電流):27A
Vgs(柵源極電壓):±20V
封裝形式:USP-6B
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
柵極電荷(Qg):8nC(最大值)
輸入電容(Ciss):1030pF(典型值)
MCR01MZPJ103 的核心優(yōu)勢在于其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使其在高電流應(yīng)用中能夠顯著降低功率損耗并提升效率。此�,它具備快速開�(guān)能力,從而減少開�(guān)損耗并改善系統(tǒng)整體效能�
由于采用了USP-6B的小型封裝,這款MOSFET非常適合空間受限的設(shè)�,并且能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對輕量化和緊湊化的需��
其高�+175°C的工作溫度范圍確保了即使在惡劣環(huán)境下也能正常運行,同時具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠��
此外,MCR01MZPJ103 還具有良好的抗靜電能力(HBM � 2000V�,有助于提高器件在生�(chǎn)過程中的耐用��
MCR01MZPJ103 廣泛�(yīng)用于各類電源管理相關(guān)的電路設(shè)計中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為主開關(guān)管或同步整流管使�,提供高效的電力傳輸�
2. 開關(guān)電源(SMPS):在適配器、充電器等產(chǎn)品中擔任�(guān)鍵角��
3. 負載開關(guān):用于控制不同負載的開啟與關(guān)�,保證電路安��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):支持電動�、儲能設(shè)備中的電池保護功��
5. 電機�(qū)動:為小型直流電機提供精確的�(qū)動信號�
6. 消費類電子產(chǎn)品:如智能手�、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的�(nèi)部電源電路�
總之,任何需要高性能開關(guān)和低功耗特性的場景都可以考慮選用此款MOSFET�
MCR01ZPJ103K, MCR02MZPJ103