H27U4G8F2DTR-BC是海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的一�3V NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�(shù),具備高密度存儲(chǔ)能力。該芯片廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、嵌入式系統(tǒng)以及�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�(shè)備中,提供大容量和快速數(shù)�(jù)傳輸?shù)慕鉀Q方案�
該芯片具有良好的�(wěn)定性和耐用�,適用于需要長�(shí)間運(yùn)行和大量�(shù)�(jù)讀寫的場景�
容量�4Gb
工作電壓�2.7V ~ 3.6V
接口類型:Toggle DDR 2.0
封裝形式:BGA 169
�(shù)�(jù)速率:最高可�(dá)200MB/s
擦寫次數(shù)�3000次(典型值)
工作溫度范圍�-40°C ~ +85°C
引腳�(shù)�169
H27U4G8F2DTR-BC是一款高性能的NAND閃存芯片,其主要特性包括:
1. 支持Toggle DDR 2.0接口,能�?qū)崿F(xiàn)高速數(shù)�(jù)傳輸�
2. 采用MLC技�(shù),在保證性能的同�(shí)降低了成�,適合大�(guī)模應(yīng)��
3. 具備�(qiáng)大的糾錯(cuò)功能(ECC�,確保數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的可靠��
4. �(nèi)置壞塊管理功�,有效延長使用壽��
5. 提供寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種�(huán)境下的應(yīng)用需��
6. 小型化的BGA封裝�(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,便于集成到緊湊型設(shè)備中�
H27U4G8F2DTR-BC因其大容量和高性能的特�(diǎn),被廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)�(shè)備的�(nèi)部存�(chǔ)�
2. 固態(tài)硬盤(SSD)和其他�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�(shè)��
3. 工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄與存�(chǔ)�
4. 車載娛樂系統(tǒng)和導(dǎo)航設(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)模塊�
5. �(shù)�?jǐn)z像機(jī)、監(jiān)控設(shè)備等需要持�(xù)高速寫入的場景�
H27U8G8F2BTR-BC
H27U4G8F2ATR-BC