IPW60R190C6是英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的一款功率MOSFET,采用Trench技�(shù)制造。該器件具有低導(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的�(kāi)�(guān)性能,非常適合于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及逆變器等�(yīng)用領(lǐng)域。這款MOSFET屬于OptiMOS系列,其出色的熱特性和電氣特性使得它在各種功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
型號(hào):IPW60R190C6
封裝:D2PAK (TO-263)
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�190mΩ(典型�,VGS=10V�
IDS(連續(xù)漏極電流):28A
功耗:45W
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
柵極電荷�26nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:20ns(典型值)
IPW60R190C6是一款專為高效率�(shè)�(jì)�(yōu)化的功率MOSFET。其采用先�(jìn)的Trench技�(shù),在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),大幅降低了�(kāi)�(guān)損耗�
主要特性包括:
- 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗�
- 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用�
- 良好的熱�(wěn)定性,適用于高功率密度�(chǎng)��
- 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
- 可靠性高,適合長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的工業(yè)�(yīng)��
此外,其具備�(yōu)異的抗雪崩能�,能夠在極端條件下保持穩(wěn)定工作�
IPW60R190C6因其卓越的性能廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
- �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
- 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
- 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
- 各種類型的DC-DC�(zhuǎn)換器�
- 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
- 電動(dòng)汽車(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)中的輔助系�(tǒng)�
總之,任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用都可以考慮使用該器��
IPP60N10S3
IRF540N
FDP5500
STP60NF10