GS6080-INE3 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的增強型功率晶體�,由 GaN Systems 提供。該器件采用 Islands 技�(shù),能夠提供卓越的開關性能和高效率,適用于高頻、高功率密度的應用場��
這種晶體管具有低導通電阻和快速開關速度的特點,能夠在高頻條件下實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�。此�,其封裝形式� DFN8x8,有助于簡化 PCB 布局并提高散熱性能�
最大漏源電壓:600V
最大導通電阻:80mΩ
柵極�(qū)動電壓范圍:4V � 12V
連續(xù)漏極電流�10A
�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝類型:DFN8x8
GS6080-INE3 擁有以下顯著特性:
1. 使用增強� GaN 技�(shù),提供低導通電阻和低開關損耗�
2. 快速開關能力使其適合高頻應�,從而減少無源元件體�,提升功率密��
3. 柵極�(qū)動兼容標準硅 MOSFET �(qū)動器,簡化設計流��
4. 具備�(yōu)異的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
5. �(nèi)� ESD 保護功能,提高器件的可靠性�
6. 封裝形式緊湊,支持表面貼�,方便自動化生產(chǎn)�
GS6080-INE3 廣泛應用于多種領域:
1. 開關電源 (SMPS),如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動汽車充電設備,包括車載充電器和充電樁�
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. �(shù)�(jù)中心電源和服務器電源模塊�
5. 工業(yè)電機�(qū)動及高效功率�(zhuǎn)換電路�
6. 消費類電子產(chǎn)品的適配器和快充解決方案�
GS66502B, GS66508T