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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GRT1555C1H511FA02D

GRT1555C1H511FA02D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/3 15:21:40 查看 閱讀�31

GRT1555C1H511FA02D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持優(yōu)異的性能表現(xiàn)�
  此型�(hào)中的具體參數(shù)可以根據(jù)�(yīng)用場(chǎng)景�(jìn)行優(yōu)�,適用于要求高效率和低功耗的電路�(shè)�(jì)�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  擊穿電壓(V(BR)DSS):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):90A(Tc=25℃)
  柵極電荷(Qg):78nC
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):43ns
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高擊穿電�,確保在高壓�(yīng)用環(huán)境下的可靠性和�(wěn)定��
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操�,減少開(kāi)�(guān)損��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于在緊湊空間�(nèi)使用�
  5. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝制造�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)及 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他高效能源�(zhuǎn)換設(shè)��
  6. 各類需要大電流、低損耗的電力電子�(yīng)��

替代型號(hào)

GRT1555C1H511FA01B, IRFP2907, FDP157N06L

grt1555c1h511fa02d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

grt1555c1h511fa02d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�20,000 : �0.06905卷帶(TR�
  • 系列GRT
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容510 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" �(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-