GRT1555C1H511FA02D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持優(yōu)異的性能表現(xiàn)�
此型�(hào)中的具體參數(shù)可以根據(jù)�(yīng)用場(chǎng)景�(jìn)行優(yōu)�,適用于要求高效率和低功耗的電路�(shè)�(jì)�
類型:N-Channel MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
擊穿電壓(V(BR)DSS):60V
連續(xù)漏極電流(Id):90A(Tc=25℃)
柵極電荷(Qg):78nC
反向恢復(fù)�(shí)間(trr):43ns
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高擊穿電�,確保在高壓�(yīng)用環(huán)境下的可靠性和�(wěn)定��
3. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操�,減少開(kāi)�(guān)損��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于在緊湊空間�(nèi)使用�
5. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝制造�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)及 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他高效能源�(zhuǎn)換設(shè)��
6. 各類需要大電流、低損耗的電力電子�(yīng)��
GRT1555C1H511FA01B, IRFP2907, FDP157N06L