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GA1210Y393JXLAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 10:51:39 查看 閱讀�12

GA1210Y393JXLAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(lǐng)域。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,從而能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少�(fā)�。此外,該芯片還具備�(yōu)異的抗靜電能力以及熱保護功能,確保其在各種復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運行�
  該型號的功率MOSFET通常被設(shè)計為N溝道增強型場效應(yīng)晶體�,支持高頻工作,并且具有極佳的可靠性和耐用�,適用于工業(yè)控制、汽車電子及消費類電子產(chǎn)品中�

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷�85nC
  開關(guān)時間:ton=18ns,toff=37ns
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y393JXLAR31G 的主要特點是其非常低的導(dǎo)通電阻,僅為2.5mΩ(典型值),這使得它在大電流�(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出。同時,它的柵極電荷較低,有助于實現(xiàn)更快的開�(guān)速度,進而降低開�(guān)損��
  此外,這款MOSFET能夠在高�175℃的�(jié)溫下正常工作,因此非常適合高溫環(huán)境中的應(yīng)�。其強大的電流承載能力和堅固的設(shè)計使其成為需要高效能和高可靠性的電路的理想選擇�
  從性能上看,GA1210Y393JXLAR31G 還具有以下優(yōu)勢:
  1. 出色的熱�(wěn)定�,即使在極端條件下也能保持良好性能�
  2. �(nèi)置的ESD保護機制提升了整體的抗干擾能��
  3. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
  4. 支持高頻操作,適用于�(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��

�(yīng)�

該款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):
   - AC-DC適配�
   - 逆變�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器�
   - 降壓/升壓變換�
   - 負載點調(diào)節(jié)�
  3. 電機�(qū)動:
   - 工業(yè)自動化控�
   - 家用電器中的無刷直流電機�(qū)�
  4. 汽車電子�
   - �(fā)動機控制單元
   - 車載充電系統(tǒng)
  5. 其他�
   - 太陽能微逆變�
   - UPS不間斷電源系�(tǒng)

替代型號

IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06

ga1210y393jxlar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.039 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-