時(shí)間：2025/5/30 21:57:32
閱讀：3
GQM1555C2D200FB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該芯片主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景中，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。它能夠在高電流和高頻應(yīng)用中提供卓越的效率和穩(wěn)定性。
型號(hào)：GQM1555C2D200FB01D
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
工作電壓（Vds）：200V
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：0.03Ω（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
最大漏極電流（Id）：30A（脈沖）
柵極電荷（Qg）：40nC（典型值）
輸入電容（Ciss）：1500pF
總功耗（Ptot）：260W
封裝形式：TO-247
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
GQM1555C2D200FB01D具有非常低的導(dǎo)通電阻，這使其在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，其柵極電荷較小，有助于實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，從而減少開關(guān)損耗。此外，這款MOSFET采用了先進(jìn)的制造工藝，確保了其在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
該芯片還具備強(qiáng)大的雪崩能力，可以在過載或異常條件下保護(hù)電路。其出色的熱性能和電氣性能使得GQM1555C2D200FB01D成為工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用的理想選擇。
GQM1555C2D200FB01D廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于開關(guān)電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電動(dòng)汽車牽引逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池管理系統(tǒng)（BMS）。由于其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻，該芯片特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和高可靠性的應(yīng)用場景。
GQM1555C2D200FA01D
GQM1555C2D200FB02D
IRFP260N
FDP18N20
