TCMI201209X100KT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用領域。該器件采用先進的制造工�,在確保高效率的同時也提供了較低的導通電阻和快速的開關速度,有助于提高系統(tǒng)的整體性能并降低能��
這款MOSFET屬于N溝道增強型晶體管,其設計目標是為大電流應用場景提供可靠的解決方案。它具有出色的熱�(wěn)定性和電氣特�,并且能夠在較寬的工作溫度范圍內保持�(wěn)定的性能�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻(典型值)�10mΩ
柵極電荷�35nC
開關時間:ton=20ns,toff=18ns
工作結溫范圍�-55℃至+175�
1. 高效的低導通電阻設�,有助于減少傳導損耗�
2. 快速的開關速度能夠顯著降低開關損�,從而提升整體效��
3. 出色的熱�(wěn)定性允許在高溫�(huán)境下持續(xù)運行�
4. 強大的抗雪崩能力增強了器件的魯棒��
5. 小巧封裝尺寸使其易于集成到緊湊型設計中�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料�
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動控制
4. 汽車電子系統(tǒng)
5. 工業(yè)自動化設�
6. LED照明驅動電路
7. 電池管理與保護系�(tǒng)
IRFZ44N
STP90NF10
FDP16N10