GNM212R61A225ME16D 是一款高性能的氮化鎵 (GaN) 功率晶體管,采用增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (。該器件具有高開(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高功率密度的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于高頻電源�(zhuǎn)�、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器和射頻功率放大器等�(lǐng)域。其封裝形式為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小尺寸表面貼裝類型,便于在高密度電路板上集��
這款 GaN 器件利用了先�(jìn)的材料特性,在高頻應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越的效率和性能,同�(shí)�(jiǎn)化了熱管理設(shè)�(jì)�
型號(hào):GNM212R61A225ME16D
類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(e-mode GaN FET�
最大漏源電壓:650 V
最大連續(xù)漏極電流�22 A
�(dǎo)通電阻(典型值)�22 mΩ
柵極電荷(典型值)�95 nC
輸入電容(典型值)�1630 pF
反向恢復(fù)電荷:無(wú)(本征體二極管為零反向恢�(fù)�
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:LFPAK88
1. 高開(kāi)�(guān)頻率支持:得益于氮化鎵技�(shù),該器件能夠?qū)崿F(xiàn)MHz�(jí)別的�(kāi)�(guān)頻率,顯著減小磁性元件和電容器的體積,從而優(yōu)化系�(tǒng)尺寸與成��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:22 mΩ 的典型導(dǎo)通電阻確保在大電流應(yīng)用中具備出色的效率表�(xiàn)�
3. 快速開(kāi)�(guān)�(dòng)�(tài):極低的柵極電荷和輸出電荷使其在硬開(kāi)�(guān)及軟�(kāi)�(guān)�?fù)渲芯憩F(xiàn)出優(yōu)異的�(dòng)�(tài)性能�
4. �(nèi)置零反向恢復(fù)體二極管:消除了傳統(tǒng)硅基 MOSFET 中存在的反向恢復(fù)損耗問(wèn)�,�(jìn)一步提升效��
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高達(dá) +175°C 的結(jié)溫下可靠�(yùn)�,適合嚴(yán)苛的工作�(huán)��
6. 小尺寸封裝:采用 LFPAK88 表面貼裝封裝,易于自�(dòng)化生�(chǎn)和焊�,同�(shí)也降低了寄生參數(shù)的影響�
GNM212R61A225ME16D 適用于多種高效能電力電子�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器:在這些�(lǐng)域中,其高頻操作能力和低損耗特�(diǎn)非常適合�(gòu)建緊湊高效的電源解決方案�
2. �(wú)線充電設(shè)備:支持更高的工作頻率以滿足新一代無(wú)線充電技�(shù)�(duì)快速充電的需求�
3. 太陽(yáng)能微型逆變器:利用 GaN 的優(yōu)�(shì)�(lái)提高能量�(zhuǎn)換效�,并縮小整體�(chǎn)品尺��
4. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器供電模塊:為數(shù)�(jù)中心提供更高效率、更小體積的電源管理方案�
5. 汽車電子系統(tǒng):例如車載充電器 (OBC) � DC-DC �(zhuǎn)換器,特別適合電�(dòng)� (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的相�(guān)�(yīng)��
GNM212R65A180ME15D