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IRFR110TRRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/7 15:47:50 查看 閱讀�282

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

 

目錄

概述

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�540 毫歐 @ 2.6A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�4.3A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�8.3nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �180pF @ 25V

    功率 - 最大:2.5W

    安裝�(lèi)型:表面貼裝

    封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線(xiàn)+接片)

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*


資料

�(chǎng)�
VISHAY

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

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irfr110trrpbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFR110, SiHRF110
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C540 毫歐 @ 2.6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds180pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn)+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)