GMC04CG271F50NT是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的半導體制造工藝。該器件主要應用于高效率開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動以及負載開關等領域�
其出色的電氣性能和可靠性使其成為許多工�(yè)和消費類電子產品的理想選擇。此�,GMC04CG271F50NT通過�(yōu)化設計實現了低導通電阻和快速開關速度,從而降低功耗并提高系統效率�
型號:GMC04CG271F50NT
類型:N-Channel MOSFET
漏源極電�(Vdss)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�80A
導通電�(Rds(on))�3mΩ
柵極電荷(Qg)�59nC
工作溫度范圍�-55� to 175�
封裝形式:TO-247
GMC04CG271F50NT具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻Rds(on),在典型條件下僅�3mΩ,有助于減少傳導損��
2. 快速的開關速度,能夠支持高頻應��
3. 高雪崩擊穿能�,增強了器件的耐用性和可靠性�
4. 提供�(yōu)異的熱性能,允許更高的功率密度�
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C�+175°C),適合多種�(huán)境條件下的使��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
這款MOSFET廣泛用于需要高效能電力傳輸和控制的應用場景中:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關元件�
2. 各種類型的DC-DC轉換�,如降壓或升壓轉換器�
3. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動電��
4. 太陽能逆變器中的功率級切換�
5. 電動車和混合動力汽車的動力系統管��
6. 通信基站電源模塊�
7. 負載開關及保護電路中的關鍵組��
GMC04CG271F50T, IRF540N, FDP55N06L