LBAT54AWT1G 是一款高性能� SOT-23 封裝晶體�,適用于多種高頻�(kāi)�(guān)和信�(hào)放大�(yīng)�。該晶體管采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有出色的電流增益和低噪聲特�,適合用于消�(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)��
類型:NPN晶體�
集電極最大電流(Ic):500mA
集電�-�(fā)射極擊穿電壓(Vceo):30V
直流電流增益(hFE):100~300
最大功率耗散(Ptot):350mW
工作溫度范圍(Tamb):-55℃~150�
封裝形式:SOT-23
LBAT54AWT1G 擁有高電流增益和低飽和電壓的特點(diǎn),能夠有效提升電路性能。其小型化的 SOT-23 封裝使其非常適合�(duì)空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)��
此外,該晶體管還具備良好的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,在寬溫范圍�(nèi)均能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
其低噪聲特性和快速開(kāi)�(guān)能力也使得它成為射頻和音頻電路中的理想選��
LBAT54AWT1G 廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中,例如:
1. �(kāi)�(guān)電源和穩(wěn)壓器中的�(qū)�(dòng)晶體��
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的信�(hào)放大和開(kāi)�(guān)功能�
3. 音頻�(shè)備中的前置放大器和緩沖器�
4. 工業(yè)控制�(lǐng)域中的傳感器信號(hào)�(diào)理電��
5. 通信�(shè)備中的高頻信�(hào)處理模塊�
LBAT54AWT1F, LBAT54AWT1H