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GMC02CG330F25NT 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 19:51:44 查看 閱讀�8

GMC02CG330F25NT是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT),廣泛應用于高�、高功率密度的電源管理場景。該器件采用先進的封裝技�,提供卓越的開關性能和效率。其設計適用于各種高性能電源�(zhuǎn)換應�,包括DC-DC�(zhuǎn)換器、快充適配器以及通信設備中的功率放大器等�
  GMC02CG330F25NT在材料選擇上充分利用了氮化鎵的獨特優(yōu)勢,如高擊穿電壓、低導通電阻以及快速開關能力。這使得它在高頻工作條件下依然能夠保持高效能表�(xiàn),同時減小系�(tǒng)體積并降低整體功��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�14A
  柵極電荷�75nC
  導通電阻:33mΩ
  開關頻率:最高可�5MHz
  封裝形式:TO-247-4L
  工作溫度范圍�-40℃至+150�

特�

GMC02CG330F25NT采用了增強型氮化鎵晶體管技術,具有以下顯著特點�
  1. 高效性能:得益于超低導通電阻(33mΩ�,這款晶體管在運行過程中產(chǎn)生的熱損耗極�,從而提高了系統(tǒng)的整體效率�
  2. 快速開關能力:極低的柵極電荷(75nC)確保了更快的開關速度,減少了開關損�,并支持高達5MHz的工作頻率�
  3. 緊湊設計:相比傳�(tǒng)硅基MOSFET,GMC02CG330F25NT能夠在更小的PCB面積�(nèi)實現(xiàn)更高的功率密度�
  4. 可靠性強:具備出色的耐壓能力和高溫穩(wěn)定�,適合多種嚴苛環(huán)境下的應用需��
  5. 易于�(qū)動:�(yōu)化后的柵極驅(qū)動條件簡化了外圍電路設計,降低了開發(fā)難度�

應用

GMC02CG330F25NT主要應用于需要高效率和高功率密度的場合:
  1. 消費類電子產(chǎn)品:例如USB-PD快充頭、筆記本電腦適配器及電視電源�
  2. 工業(yè)設備:如工業(yè)級開關電源(SMPS�、電機驅(qū)動器和不間斷電源(UPS��
  3. 通信基礎設施:用于基站電源模塊和光網(wǎng)絡單元(ONU)的功率�(zhuǎn)換部分�
  4. 汽車電子:支持車載充電器(OBC)和其他高壓�(zhuǎn)換電��
  5. 能源管理:光伏逆變器和儲能系統(tǒng)中涉及的高頻DC-DC變換器�

替代型號

GMC02DG330F25NT, GMC02EG330F25NT