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GJM0336C1E120GB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 19:47:36 查看 閱讀�8

GJM0336C1E120GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
  該型�(hào)屬于溝道型MOSFET系列,特別適合在中高電壓�(yīng)用場景下工作。其�(shè)�(jì)�(jié)合了�(yōu)秀的熱特性和電氣特性,確保了在�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�80nC
  開關(guān)速度:超�
  封裝形式:TO-247

特�

GJM0336C1E120GB01D具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提升效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場��
  3. 出色的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長時(shí)間工��
  4. 高可靠性設(shè)�(jì),確保長期使用中的穩(wěn)定性和耐用��
  5. �(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)特�,便于與各類控制器配合使��
  這些特性使得該器件非常適合用于�(duì)效率和可靠性要求較高的場景,例如服�(wù)器電�、工�(yè)電機(jī)控制以及電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)等�

�(yīng)�

GJM0336C1E120GB01D主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動(dòng)工具和家電中的功率管理模�
  6. �(fù)載切換和保護(hù)電路
  憑借其卓越的性能和廣泛的適應(yīng)�,這款MOSFET已成為許多功率電子設(shè)�(jì)的理想選擇�

替代型號(hào)

GJM0336C1E120GB02D, IRFZ44N, FDP5570N

gjm0336c1e120gb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gjm0336c1e120gb01d參數(shù)

  • 制造商Murata
  • 電容120 pF
  • 容差2 %
  • 電壓額定�25 Volts
  • 溫度系數(shù)/代碼C0H
  • 外殼代碼 - in0201
  • 外殼代碼 - mm0603
  • 工作溫度范圍- 55 C to + 125 C
  • �(chǎn)�High Q MLCCs
  • 封裝Reel
  • Capacitance - nF0.12 nF
  • 尺寸0.3 mm W x 0.6 mm L x 0.3 mm H
  • 封裝 / 箱體0201 (0603 metric)
  • 系列GJM
  • 端接類型SMD/SMT