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CM150DY-12NF 發(fā)布時間 時間:2025/4/29 16:37:34 查看 閱讀:30

CM150DY-12NF是一款高性能的碳化硅(SiC)MOSFET功率晶體管,專為高頻、高效和高功率密度的應用場景設計。該器件具有極低的導通電阻和快速開關特性,適合用于工業(yè)電源、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電動汽車充電系統(tǒng)以及其他需要高效能量轉換的場合。
  這款MOSFET采用了先進的碳化硅技術,相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,其具備更高的工作溫度范圍、更快的開關速度以及更小的能量損耗。

參數(shù)

型號:CM150DY-12NF
  額定電壓:1200V
  額定電流:150A
  導通電阻:≤1.8mΩ
  柵極電荷:35nC
  反向恢復時間:≤50ns
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 極低的導通電阻降低了傳導損耗,提高了系統(tǒng)的整體效率。
  2. 快速的開關性能使器件能夠在高頻下工作,從而減小了無源元件的尺寸和整個系統(tǒng)的體積。
  3. 耐高溫能力出色,能在高達175℃的結溫下穩(wěn)定運行,適用于嚴苛的工作環(huán)境。
  4. 高可靠性設計確保長期使用中的穩(wěn)定性。
  5. 具備出色的短路耐受能力,增強了系統(tǒng)的安全性和魯棒性。

應用

1. 工業(yè)電源和電機驅動器
  2. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)
  3. 不間斷電源(UPS)
  4. 電動汽車充電樁
  5. DC-DC轉換器和PFC電路
  6. 高頻諧振變換器
  7. 其他需要高效率和高功率密度的電力電子設備

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cm150dy-12nf參數(shù)

  • 標準包裝2
  • 類別半導體模塊
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 類型-
  • 配置半橋
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)2.2V @ 15V,150A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)150A
  • 電流 - 集電極截止(最大)1mA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)23nF @ 10V
  • 功率 - 最大590W
  • 輸入標準型
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼模塊
  • 供應商設備封裝模塊
  • 配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
  • 其它名稱835-1009