GJM0335C1ER60BB01J是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率和低損耗應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于各種電源管理場�,包括但不限于DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動以及負(fù)載開�(guān)�。其封裝形式緊湊,能夠有效節(jié)省電路板空間�
型號:GJM0335C1ER60BB01J
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
持續(xù)漏極電流Id�18A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗Ptot�75W
工作溫度范圍Tj�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GJM0335C1ER60BB01J具備卓越的電氣性能和可靠�,主要特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,有助于減少開關(guān)損�,并支持高頻操作�
3. 高雪崩能量能�,增強了在異常條件下的魯棒��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能保持�(wěn)定的性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 小型化封裝設(shè)�,便于集成到緊湊型電路中�
這款功率MOSFET適用于廣泛的工業(yè)和消費電子領(lǐng)域,具體�(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率級組件�
3. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)動控制�
4. 通信�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)或保�(hù)電路�
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電池保�(hù)電路�
GJM0335C1ER60BB01J憑借其高效性和可靠�,成為上述應(yīng)用的理想選擇�
IRF540N
STP18NF50
FDP5500
IXYS20N60C3