HM40N04D是一款由HOLitech生產的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件具有低導通電阻和高開關速度,適用于多種功率轉換和開關應�。其封裝形式通常為TO-252(DPAK�,能夠承受較高的電壓和電�,廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制以及通信設備等領��
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4.8A
導通電阻:65mΩ
總功耗:1.15W
工作溫度范圍�-55℃至175�
HM40N04D采用了先進的工藝制造技�,具備以下顯著特性:
1. 低導通電阻,有助于降低功耗并提高效率�
2. 高開關速度,適合高頻應用環(huán)��
3. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內可靠運��
4. 小型化封裝設�,便于PCB布局和節(jié)省空��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料�
6. 具備出色的電氣性能,可滿足多種功率管理需求�
該MOSFET適用于多種領�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC轉換器的功率開關�
3. 電機驅動電路中的功率級元��
4. 電池保護及負載開關�
5. 各類工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率調節(jié)模塊�
6. 通信設備中的信號切換和功率處理部分�
IRLZ44N, FDN340P, AO3400A