GD25B512MEYIGR是兆易創(chuàng)新(GigaDevice)推出的一款基于SPI接口的串行閃存芯�,采�3V�1.8V供電電壓。它具有高達(dá)512Mb的存�(chǔ)容量,并支持高速讀寫操�。該芯片廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備以及物�(lián)�(wǎng)等領(lǐng)�,為系統(tǒng)提供高效的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案�
GD25B512MEYIGR采用了先�(jìn)的工藝制程,具備低功�、高可靠性和快速傳輸速率的特�(diǎn),能夠滿足多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求�
存儲(chǔ)容量�512Mb
接口類型:SPI
工作電壓�1.65V�3.6V(兼�1.8V�3V�
�(shù)�(jù)傳輸速率:最�104MHz(在DTR模式下)
封裝形式:WLCSP(晶圓級(jí)芯片尺寸封裝�
工作溫度范圍�-40℃至+85�
擦寫次數(shù):至�100,000�
�(shù)�(jù)保存�(shí)間:超過20�
GD25B512MEYIGR支持�(biāo)�(zhǔn)SPI、雙I/O SPI(DIO)以及四I/O SPI(QIO)模式,確保靈活多樣的數(shù)�(jù)傳輸方式�
它內(nèi)置了硬件寫保�(hù)功能,可有效防止�(shù)�(jù)誤寫入或刪除,提高了系統(tǒng)的安全��
同時(shí)支持上電自動(dòng)加載(Boot ROM)功�,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)啟動(dòng)過程中的�(fù)雜度�
此外,該芯片還集成了唯一�(biāo)�(shí)符(UID),可用于追蹤和管理每�(gè)器件�(shí)��
其超低功耗待�(jī)模式有助于延�(zhǎng)電池�(qū)�(dòng)�(shè)備的使用壽命�
GD25B512MEYIGR適用于需要大容量存儲(chǔ)和高性能�(shù)�(jù)訪問的場(chǎng)�,例如:
- 智能家居控制�
- 工業(yè)自動(dòng)化模�
- 可穿戴設(shè)�
- �(wǎng)�(luò)路由器和交換�(jī)
- �(yī)療監(jiān)�(cè)儀�
- 車載娛樂系統(tǒng)
- 物聯(lián)�(wǎng)終端節(jié)�(diǎn)�
GD25B512IGR, MX25L51245G, W25Q512JV