最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：30A
　　導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
　　柵極電荷：45nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：典型值開(kāi)啟10ns，關(guān)閉20ns
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-247

GCQ1555C1H8R7WB01D采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)以優(yōu)化其性能表現(xiàn)。首先，它擁有極低的導(dǎo)通電阻（僅1.5mΩ），這極大地減少了功率損耗，提升了工作效率。其次，該芯片的快速開(kāi)關(guān)速度使得其在高頻應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色，能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　此外，該器件還具有較強(qiáng)的抗浪涌能力以及內(nèi)置的過(guò)溫保護(hù)功能，確保了其在極端條件下的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí)，它的高耐壓等級(jí)（60V）和大電流承載能力（30A）使其適用于廣泛的功率轉(zhuǎn)換需求。
　　最后，該芯片的工作溫度范圍非常寬廣（-55℃至+175℃），能夠在各種惡劣環(huán)境下正常運(yùn)行，進(jìn)一步擴(kuò)展了其應(yīng)用領(lǐng)域。

這款MOSFET芯片廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：為無(wú)刷直流電機(jī)或其他類型的電動(dòng)機(jī)提供高效的驅(qū)動(dòng)控制。
　　3. 逆變器：在光伏逆變器和其他能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中作為核心功率元件。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化：用于工業(yè)級(jí)控制系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)與分配。
　　5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品：如筆記本電腦適配器、智能手機(jī)快充模塊等需要高效率功率管理的場(chǎng)合。

GCQ1555C1H8R7WB02D, GCQ1555C1H8R7WB03D