GA1812Y683JXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
該型�(hào)的功率MOSFET通常適用于高頻率和高電流的工作環(huán)�,其封裝形式和電氣性能�(jīng)�(guò)�(yōu)化,確保在嚴(yán)苛條件下的穩(wěn)定運(yùn)�。此�,GA1812Y683JXBAR31G還具有良好的熱性能,便于散熱設(shè)�(jì)�
類型:功率MOSFET
極性:N溝道
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:0.12Ω
柵極電荷�45nC
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA1812Y683JXBAR31G具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流�(yīng)用中減少損��
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,適合開(kāi)�(guān)電源和其他高頻電��
3. 良好的雪崩能力和抗靜電能力,提高了系�(tǒng)的可靠性和魯棒��
4. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�
這些特性使該芯片成為許多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
3. 電動(dòng)工具和家電中的高效電源管��
4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
5. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源解決方案�
由于其卓越的電氣性能和可靠性,GA1812Y683JXBAR31G成為工程師在�(shè)�(jì)高性能電力電子系統(tǒng)�(shí)的重要選��
IRFP460,
FQP18N65C,
STP18NF65,
IXYS40N65C3