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GA1812Y683JXBAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 12:46:54 查看 閱讀�7

GA1812Y683JXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
  該型�(hào)的功率MOSFET通常適用于高頻率和高電流的工作環(huán)�,其封裝形式和電氣性能�(jīng)�(guò)�(yōu)化,確保在嚴(yán)苛條件下的穩(wěn)定運(yùn)�。此�,GA1812Y683JXBAR31G還具有良好的熱性能,便于散熱設(shè)�(jì)�

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  極性:N溝道
  最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻:0.12Ω
  柵極電荷�45nC
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1812Y683JXBAR31G具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流�(yīng)用中減少損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,適合開(kāi)�(guān)電源和其他高頻電��
  3. 良好的雪崩能力和抗靜電能力,提高了系�(tǒng)的可靠性和魯棒��
  4. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�
  這些特性使該芯片成為許多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
  3. 電動(dòng)工具和家電中的高效電源管��
  4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
  5. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源解決方案�
  由于其卓越的電氣性能和可靠性,GA1812Y683JXBAR31G成為工程師在�(shè)�(jì)高性能電力電子系統(tǒng)�(shí)的重要選��

替代型號(hào)

IRFP460,
  FQP18N65C,
  STP18NF65,
  IXYS40N65C3

ga1812y683jxbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-