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GA1812Y184MBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 20:49:58 查看 閱讀�9

GA1812Y184MBAAT31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管。該器件專為高頻、高效率�(yīng)用場景設(shè)�(jì),適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和射頻放大器等應(yīng)�。其出色的開�(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其成為傳�(tǒng)硅基MOSFET的理想替代品�
  這款芯片采用先�(jìn)的封裝工�,具備優(yōu)良的散熱性能和電氣穩(wěn)定�,可顯著提高系統(tǒng)的整體效率并減少體積與重��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:75mΩ
  柵極電荷�75nC
  開關(guān)頻率:最高可�(dá)10MHz
  工作溫度范圍�-40℃至+125�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1812Y184MBAAT31G 具有以下主要特性:
  1. 基于氮化鎵材�,提供更高的擊穿電壓和更低的�(dǎo)通損耗�
  2. 極低的導(dǎo)通電�,有效降低傳�(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)速度,支持高�(dá)10MHz的工作頻��
  4. �(nèi)置過溫保�(hù)和過流保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)可靠��
  5. 小型化設(shè)�(jì),適合緊湊型電路布局�
  6. 高效熱管理能力,確保在高功率密度下的�(wěn)定運(yùn)��
  7. 支持多種�(qū)�(dòng)模式,兼容現(xiàn)有驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
  這些特點(diǎn)使得該芯片特別適合高頻功率轉(zhuǎn)換和射頻�(yīng)用領(lǐng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下場景�
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supply),如服�(wù)器電�、通信�(shè)備電源�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括車載充電器、電池管理系�(tǒng)中的DC-DC模塊�
  3. 射頻功放(RF Power Amplifier�,用于無線通信基站或雷�(dá)系統(tǒng)�
  4. 新能源汽車充電樁及車載逆變��
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制單元�
  由于其卓越的性能表現(xiàn),GA1812Y184MBAAT31G 成為�(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)中不可或缺的�(guān)鍵元件之一�

ga1812y184mbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-