GA1812Y153JXEAR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高功率射頻放大器芯�,廣泛應(yīng)用于通信系統(tǒng)、雷�(dá)和電子戰(zhàn)等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有高效率、寬帶寬和高增益的特�(diǎn)。其封裝形式為氣密封�,適合在�(yán)苛環(huán)境下工作�
型號(hào):GA1812Y153JXEAR31G
工作頻率范圍�0.1GHz � 18GHz
輸出功率�30W(典型值)
增益�15dB(典型值)
電源電壓�28V
靜態(tài)電流�3A
封裝形式:氣密陶瓷封�
工作溫度范圍�-55°C � +100°C
GA1812Y153JXEAR31G 的主要特�(diǎn)是采用了氮化鎵材料,具備出色的高頻性能和高功率密度。與傳統(tǒng)的砷化鎵 (GaAs) 或硅基放大器相比,它能在更高的頻率下提供更高的輸出功率和效率�
此外,這款芯片還具有極低的熱阻,從而增�(qiáng)了散熱性能,使其能夠在高溫�(huán)境中�(wěn)定運(yùn)�。其寬帶�(shè)�(jì)也使得該芯片適用于多種不同的�(yīng)用場(chǎng)�,而無(wú)需�(jìn)行復(fù)雜的匹配�(wǎng)�(luò)�(shè)�(jì)�
該芯片主要用于需要高功率和高效率射頻放大的場(chǎng)�,包括但不限于:
1. 軍用雷達(dá)系統(tǒng)中的�(fā)射機(jī)模塊�
2. �(wèi)星通信系統(tǒng)的地面站�(shè)備�
3. 電子�(duì)抗和電子�(zhàn)�(shè)��
4. 商用�(wú)�(xiàn)基礎(chǔ)�(shè)�,例�5G基站的功率放大器部分�
由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn),該器件特別適合于對(duì)可靠性要求極高的軍工及航空航天領(lǐng)��
GA1812Y153KXEAR31G